Memoria Ram

Static RAM (RAM estática, SRAM)
La RAM estática o SRAM es la más rápida disponible, con un tiempo de acceso típico de 25 nanosegundos. La RAM estática es más cara y sólo puede almacenar la cuarta parte de los datos que puede almacenar la DRAM, ya que utiliza dos transistores para almacenar un BIT mientras que la DRAM emplea sólo uno, aunque lo mantiene durante tanto tiempo como el chip reciba energía. Los transistores están conectados de tal forma que sólo uno está "in" o "out" en cualquier momento; el que está "in" significa 1 BIT. La SRAM Síncrona permite un flujo de datos más rápido, para evitar esto es necesario utilizar cache en un Pentium a 90 ó 100MHz cuando esto se ocupa.

Dynamic RAM (RAM dinámica, DRAM)
Un tipo de memoria física utilizado en la mayoría de computadoras personales. La RAM dinámica emplea capacitadores internos para almacenar los datos (un único transistor los enciende o apaga) que pierden su carga pasado un tiempo, por lo que necesitan un refresco constante para retener los datos almacenados, de otra forma el estado de 1 pasaría a ser 0. El resultado final es que entre cada acceso de memoria se envía una carga eléctrica que refresca los capacitadores del chip para mantener los datos en el estado correcto, el cual no puede alcanzarse mientras se efectúa la recarga. Leer de la DRAM descarga sus contenidos, así que tienen que volver a escribirse inmediatamente para que sigan conteniendo los mismos datos.

Enhanced DRAM (DRAM mejorada, EDRAM)
La Enhanced DRAM sustituye a la DRAM estándar y a la SRAM en la caché L2 (de nivel 2) de la placa base, generalmente combinando 256 bytes de SRAM de 15ns dentro de DRAM de 35ns. Puesto que la SRAM puede tomar una página de memoria de 256 bytes completa cada vez, esto le da una velocidad de acceso efectiva de 15ns cuando consigue un "hit", un acierto de la caché (o bien 35ns si no lo consigue). La caché L2 se sustituye con un chip SIC para solucionar requerimientos del chipset contra la memoria. El rendimiento del sistema se incrementa alrededor de un 40%. La EDRAM tiene una pista de escritura separada que acepta y completa solicitudes sin necesidad del resto del chip.

EDO DRAM
EDO es una versión avanzada del modo "fast page" (en ocasiones denominado modo Hyper Page), que puede ser hasta un 30% mejor y costar sólo un 5% más. La DRAM EDO mantiene los datos de memoria válidos hasta el siguiente "CAS# falling edge", no como la DRAM estándar de modo fast page que pasa a la memoria por tres estados. Al utilizar DRAM EDO, el ancho de banda de CPU a memoria se incrementa de 100 MB a 200 MB por segundo.
La EDO de ciclo único llevará a cabo una transacción de memoria completa en 1 ciclo de reloj; si no, cada acceso secuencial a la RAM dentro de la misma página toma 2 ciclos de reloj en vez de 3, una vez que la página ha sido seleccionada. Puesto que sustituye a la caché de nivel 2 y no necesita un controlador separado, se ahorra espacio en la placa base, lo que es útil para portátiles. También ahorra energía de la batería. En breve, la EDO da un mayor ancho de banda debido al acortamiento del ciclo de modo de página, pero no parece ser mucho más rápida en la práctica. Se utiliza fundamentalmente como memoria principal en placas base o tarjetas de vídeo.

Burst Extended Data Output (BEDO) DRAM
La DRAM Burst EDO es una DRAM EDO que contiene una entrada pipeline y un contador de ráfagas ("burst") de 2 bits. La diferencia entre BEDO y EDO es que todos los ciclos, p.ej., Lectura (Read) y Escritura (Write) ocurren en ráfagas de cuatro ciclos. La BEDO obtiene un aumento del rendimiento de un 100 por cien respecto a la FP DRAM y de un 33 a un 50 por ciento respecto a DRAM EDO. Muchos sistemas de memoria actuales basados en DRAM utilizan accesos orientados en ráfagas para tomar ventaja del mayor ancho de banda. Con las DRAMs convencionales como FP o EDO, el iniciador accede a la DRAM a través del controlador. El controlador debe esperar a que el dato esté listo antes de enviarlo al iniciador. Sin embargo, la Burst EDO elimina los estados de espera, mejorando el rendimiento del sistema.

Synchronous DRAM (DRAM síncrona, SDRAM)
La SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory, memoria síncrona dinámica de acceso aleatorio) presenta una operación totalmente sincronizada referida a un edge clock positivo, por lo cual todas las operaciones están sincronizadas a una entrada de reloj que permite la coexistencia de alto rendimiento y una interfaz de usuario simple. La SDRAM está especialmente indicada para supercomputadoras, workstations, adapatadores gráficos de alta resolución, aceleradoras y otras aplicaciones donde se necesitan una memoria y ancho de banda de memoria extremadamente grandes y donde se requiere una interfaz sencilla.
Las principales diferencias entre la SDRAM y la DRAM convencional son la operación sincronizada, el modo a ráfagas ("burst"), y el modo de registro. La SDRAM utiliza una entrada de reloj para la sincronización mientras que la DRAM es una memoria asíncrona. La DRAM utiliza dos relojes, RAS# y CAS#. Cada operación de la DRAM está determinada por las diferencias temporales de fase entre los dos relojes, mientras que cada operación de la SDRAM está determinada por la referencia de comandos y operaciones referidos a un clock edge positivo. El modo a ráfagas es un modo de acceso de muy alta velocidad que emplea un generador de direcciones de columna interno. Una vez que se configura una dirección de columna para el primer acceso, las siguientes direcciones son generadas automáticamente por el contador de direcciones de columna interno. El modo de registro recibe las condiciones de sistema deseadas y controla la operación de la SDRAM de acuerdo con ellas.
De forma simple, podemos decir que la SDRAM libera el acceso a la memoria del control de la CPU; los registros internos de los chips aceptan la solicitud, y permiten que la CPU trabaje en otra cosa mientras el dato solicitado es reunido para la próxima vez que la CPU se comunique con la memoria. Como trabajan en su propio ciclo de reloj, el resto del sistema puede funcionar con un reloj más rápido. Existe una versión optimizada para su uso en tarjetas de vídeo, y para memoria principal en la placa base

PC100 SDRAM
Intel está trabajando con los vendedores de memoria para que se mantengan a la altura del rendimiento de procesadores y arquitecturas más rápidos. El objetivo de Intel es asegurarse de que los subsistemas de memoria siguen soportando los requisitos de plataformas que evolucionan y asegurarse de que la memoria no se convierte en un cuello de botella para el rendimiento del sistema. Es especialmente importante asegurar que los avances en la memoria del PC evolucionan junto con los avances en el rendimiento de los procesadores, I/O y gráficos. Para conseguir este objetivo, Intel ha trabajado con los principales vendedores de RAM para desarrollar los componentes y la especificaciones DIMM de la SDRAM PC100. Aquellos módulos de SDRAM que sigan dichas especificaciones en su producción, se denominarán "SDRAM PC100". Podrá encontrar módulos de memoria PC100 en el mercado a partir del segundo trimestre de 1998.
Intel ha comunicado la especificación de componentes de la PC SDRAM, así como las especificaciones de detección de presencia de serie (SPD) y la DIMM a 100-MHz a los principales vendedores y OEMs.

SPD para módulos SDRAM
La detección de presencia de serie ("Serial Presence Detect", SPD) es muy parecida a una detección identificativa del módulo de SDRAM, utilizando un componente EEPROM en un módulo DIMM para almacenar dentro la información de configuración del módulo.
La función SPD se implementa mediante un componente EEPROM de 2048 bits. Este dispositivo de almacenamiento no volátil contiene datos programados por el fabricante del módulo DIMM que identifican el tipo de módulo y varios parámetros de organización y reloj SDRAM.
Las placas base con el nuevo chipset Intel 440BX detectarán su módulo de SDRAM y si su módulo no tiene el componente SPD, presentará un mensaje de aviso durante el arranque. Sin embargo, esto no tiene ningún efecto negativo para su sistema ni módulo de memoria.

SGRAM
Abreviatura de Synchronous Graphic Random Access Memory (memoria gráfica síncrona de acceso aleatorio), un tipo de DRAM utilizada cada vez más en adaptadores de vídeo y aceleradoras gráficas. Como la SDRAM, la SGRAM puede sincronizarse con el reloj de bus de la CPU hasta velocidades de 100 MHz. Además, la SGRAM emplea algunas otras técnicas, como escrituras con máscara y bloques de escritura, para aumentar el ancho de banda para funciones gráficas intensivas.
Al contrario que la VRAM y la WRAM, la SGRAM es de puerto único. Sin embargo, puede abrir dos páginas de memoria a la vez, lo que simula la naturaleza de puerto doble de otras tecnologías de RAM de vídeo.

DDR SDRAM
La "Double Data Rate-Synchronous" DRAM (DRAM síncrona con doble tasa de datos, DDR SDRAM) es un tipo de SDRAM que soporta transferencias de datos en ambos extremos de cada ciclo de reloj, doblando efectivamente la transferencia de datos del chip de memoria. La DDR-SDRAM es llamada también SDRAM II.
La DDR SDRAM proporcionará hasta 3 veces la velocidad de las soluciones actuales, incluyendo aquellas basadas en EDO DRAM y SDRAM convencional. Similar a la SDRAM tradicional, la DDR SDRAM mueve los datos en cada extremo del reloj, doblando el ancho de banda máximo del bus. Una DDR SDRAM a 100Mhztendrá una tasa a ráfagas ("burst") de 200MHz. La SDRAM a 100MHz tendrá prioridad sobre la DRAM normal a 50MHz.
Puede encontrar la denominación "Double Clock", que es el método por el cual una pseudo-sincronización con ambos extremos de las señales de reloj ("rising" y "falling", de subida y de bajada), proporciona una trasferencia de datos dos veces más rápida. Esto se consigue utilizando una DRAM síncrona muy rápida, llamada DDR SDRAM. Comienza con una capacidad de 64-Mbit de DDR SDRAM.
El objetivo de la DDR SDRAM es la alta velocidad, representa una de las más recientes tecnologías de chips de alta velocidad. La DDR SDRAM empezará a utilizarse en PCs de alta gama a comienzos de 1999, y surgirá como la tecnología de memoria a elegir para PCs
entre el segundo semestre de 1999 y el 2000.

SyncLink DRAM
Un nuevo tipo de memoria que está siendo desarrollado por un consorcio de fabricantes de computadoras llamado el Consorcio Synclink. La SLDRAM compite con la memoria Rambus (RDRAM) como la arquitectura futura de memoria del PC. Pero mientras los actuales chips de RDRAM están ya en uso en tarjetas de vídeo y otros dispositivos, la SLDRAM todavía existe sólo sobre el papel. Lo que es más, Intel está respaldando a la RDRAM, lo que reduce las posibilidades de la SLDRAM de llegar a ser una tecnología importante.

RAMBUS DRAM
Rambus DRAM, un tipo de memoria (DRAM) desarrollado por Rambus, Inc. Mientras que las tecnologías más rápidas de memoria actuales utilizadas por los PCs (SDRAM) pueden manejar los datos a una velocidad máxima de unos 100 MHz, la RDRAM transfiere datos hasta a 600 MHz.
En 1997, Intel anunció que licenciaría la tecnología Rambus para su uso en sus futuras placas base, haciéndola por tanto el estándar "de hecho" de las arquitecturas de memoria. Sin embargo, un consorcio de vendedores de computadoras está trabajando en una arquitectura de memoria alternativa llamada SyncLink DRAM (SLDRAM).
La RDRAM se utiliza ya en lugar de la VRAM en algunas tarjetas aceleradoras gráficas, pero no se espera su uso como memoria principal del PC hasta 1998 o 1999. Intel y Rambus están trabajando también en una nueva versión de la RDRAM, llamada nDRAM, que soportará velocidades de transferencia de datos hasta a 1.600 MHz.

Direct RDRAM
La tecnología Direct RDRAM fue desarrollada por la empresa de diseño de chips americana Rambus. La nueva generación de chipset lógico de Intel, cuyo nombre código es "Camino" soportará sólo Direct RDRAM. Promete mejorar drásticamente el rendimiento del PC al acelerar la transferencia de datos entre la memoria principal y el microprocesador. La "Concurrent RDRAM" será seguida por la Direct RDRAM, la tecnología soportada por Intel como memoria principal del PC en el futuro. La DDR SDRAM puede que llegue a emplearse como memoria principal del PC como trampolín para la Direct RDRAM.
La tecnología Direct DRAM pretende abrir un camino de datos más ancho para acelerar las transferencias de datos. Se sabe que es capaz de aumentar las transferencias de datos hasta 1.6GB por segundo, más de tres veces más que las tasas de transferencia de datos de la actual RDRAM de 500MB por segundo. Empezará en 64Mb, y alcanzará 256Mb a finales de la década.
En los PCs, la Direct DRAM será implementada en placas de memoria muy similares a los actuales módulos DIMM, diseños cuidadosos de la placa base permitirán que el ancho de banda alcance 800Mbps por pin.

MDRAM
Abreviatura de Multibank DRAM (DRAM multibanco), una tecnología de memoria relativamente nueva desarrollada por MoSys Inc. La MDRAM utiliza pequeños bancos de DRAM (de 32 KB cada uno) en una matriz, donde cada banco tiene su propio puerto I/O que se comunica con un bus interno común. Gracias a este diseño, los datos pueden ser leídos o escritos simultáneamente a varios bancos, lo que la hace mucho más rápida que la DRAM convencional.
Otra ventaja de la MDRAM es que la memoria puede ser configurada en incrementos menores, lo que reduce el coste de algunos componentes. Por ejemplo, es posible producir chips de MDRAM de 2.5 MB, que es lo que necesitan los adaptadores de vídeo con 24-bits de color a una resolución de 1.024x768. at Con las arquitectures de memoria convencionales, es necesario utilizar directamente 4 MB. Actualmente, la MDRAM se utiliza en algunos adaptadores de vídeo y aceleradoras gráficas.

VRAM
La RAM de vídeo es memoria con un propósito especial empleada por los adaptadores de vídeo. Al contrario que la RAM convencional, la VRAM resulta accesible para dos dispositivos a la vez. Esto permite a un monitor acceder a la VRAM para refrescos de pantalla al mismo tiempo que un procesador gráfico proporciona nuevos datos. La VRAM tiene un mejor rendimiento gráfico pero es más cara que la RAM convencional. Algunas aceleradoras utilizan DRAM convencional, pero otras emplean un tipo especial de RAM de vídeo (VRAM), que permite acceder a la memoria simultáneamente tanto a la circuitería de vídeo como al procesador.

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